イーロン・マスク「メモリは近いうちに暴落する。中国が大量生産するから」

中国CXMTの新構造で、DRAMの記憶密度が最大50％高まる可能性

CXMTは10月12日、新たなDRAMチップ構造の開発で「重要な進展」があったと発表した。DRAMはコンピューターが処理中のデータを一時的に保持する半導体メモリーで、CXMTは新構造によって記憶密度を高めようとしている。市場調査会社TrendForceの分析によると、CXMTは同じチップ面積で記憶できるデータ量を30～50％増やせる可能性がある。

HBM（広帯域幅メモリー）もDRAMの一種で、複数のDRAMチップを積み重ねて高速にデータを転送する。CXMTが今回の新構造を最初に採用する予定なのは、サーバー向けのDDR5 RDIMMである。新構造によって記憶密度を高められれば、CXMTはサムスン電子、SKハイニックス、マイクロンなどの大手と競う力を強められる。

■マスク、中国の量産力が他国・地域の合計を上回ることが多いと指摘

資産が1兆ドル（約159兆円）以上の富豪イーロン・マスクは10月12日、Xへの投稿で中国の生産拡大能力に言及した。中国が製品の製造方法を確立すると、生産を拡大する能力は他の国・地域をすべて合わせた規模を上回ることが多いと述べ、リチウム電池と太陽光発電を例に挙げた。